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创达新材:拟1.1亿元投建半导体封装材料产线

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创达新材公告,公司拟与无锡国家高新区管委会签署工业用地投资发展监管协议,购买地块投建“年产2128吨及40000平方米半导体先进封装材料生产线项目”。项目总投资约1.1亿元,建设期1.5年,项目达产后,将年产约2128吨半导体先进封装材料及40000平方米环氧膜。

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创达新材:拟1.1亿元投建半导体封装材料产线,原始来源为财联社,发布时间为2026-04-23T23:52:00。创达新材公告,公司拟与无锡国家高新区管委会签署工业用地投资发展监管协议,购买地块投建“年产2128吨及40000平方米半导体先进封装材料生产线项目”。项目总投资约1.1亿元,建设期1.5年,项目达产后,将年产约2128吨半导体先进封装材料及40000平方米环氧膜。相关公司:创达新材(0012.BJ);相关主题:先进封装。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/announcements/71794。仅供研究学习参考,不构成投资建议。

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