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本川智能：控股子公司与西安交通大学签署功率半导体技术开发合同
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本川智能(300964.SZ)公告称，公司控股子公司南京本川鹏芯科技有限公司与西安交通大学签署《技术开发(委托)合同》，委托其研究开发功率半导体器件CIPB高密度封装技术项目，双方协同完成适配CIPB技术路线的新型碳化硅封装结构及配套工艺体系的搭建，形成可量产的功率模块解决方案。研究开发经费和报酬总额为50万元。
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本川智能：控股子公司与西安交通大学签署功率半导体技术开发合同，原始来源为财联社，发布时间为2026-05-21T17:55:07。本川智能(300964.SZ)公告称，公司控股子公司南京本川鹏芯科技有限公司与西安交通大学签署《技术开发(委托)合同》，委托其研究开发功率半导体器件CIPB高密度封装技术项目，双方协同完成适配CIPB技术路线的新型碳化硅封装结构及配套工艺体系的搭建，形成可量产的功率模块解决方案。研究开发经费和报酬总额为50万元。相关公司：本川智能（300964）；相关主题：功率半导体与SiC。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/announcements/80613。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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财联社
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