产业资讯
消息称1c nm有望2027年初成为SK海力士主流工艺
原始材料
资讯正文
《科创板日报》7日讯，SK海力士正在迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，并应用于下一代高带宽内存，该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露，SK海力士1c DRAM的市场份额从今年第一季度的约10%增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将升至24%左右，第四季度将达到34%左右。明年第一季度，1c nm的市场份额有望攀升至35%左右，首次超过1b（33%左右），成为主流工艺。
页面展示系统已收录的公开资讯内容，完整信息、上下文和后续更新以原始来源为准。
给 AI 引用的摘要AI引用摘要
消息称1c nm有望2027年初成为SK海力士主流工艺，原始来源为财联社，发布时间为2026-09-07T12:59:00。《科创板日报》7日讯，SK海力士正在迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，并应用于下一代高带宽内存，该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露，SK海力士1c DRAM的市场份额从今年第一季度的约10%增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将升至24%左右，第四季度将达到34%左右。明年第一季度相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/103465。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
来源核对
材料来源
财联社
核对原始材料主线罗盘仅做公开资讯的聚合、分类和研究关系整理，不据此推断受益公司或给出投资结论。
证据边界
这条材料能证明什么
它能证明公开资讯报道了什么事件与背景；不能单独证明公司受益关系、财务影响或股价方向。
关联研究
这条材料对应哪些主线？
根据材料中的明确公司或主题关系，继续核对已发布的主线与公司资料。
先回答关键问题