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三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产
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三星电子与阿斯麦9月8日宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。
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三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产，原始来源为财联社，发布时间为2026-09-08T14:57:51。三星电子与阿斯麦9月8日宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。相关主题：AI服务器。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/103872。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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