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长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产
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在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。
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长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产，原始来源为财联社，发布时间为2026-09-20T11:51:00。在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/107117。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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