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美国ITC正式对动态随机存取存储器(DRAM)设备及其下游产品和组件(III)启动337调查

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【美国ITC正式对动态随机存取存储器(DRAM)设备及其下游产品和组件(III)启动337调查】财联社9月24日电,据中国贸易救济信息网消息,2026年9月23日,美国国际贸易委员会(ITC)投票决定对特定动态随机存取存储器(DRAM)设备及其下游产品和组件(III)启动337调查。2026年8月11日,美国Netlist, Inc. of Irvine, California向美国ITC提出337立案调查申请,主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品违反了美国337条款(侵权美国注册专利号10,025,731、10,217,523、12,373,366、12,675,407),请求美国ITC发布有限排除令、禁止令。美国Micron Technology, Boise, Idaho、美国Micron Semiconductor Products, Inc., Boise, Idaho、美国Hewlett Packard Enterprise Co., Spring, Texas、中国香港特别行政区Lenovo Group Ltd., Hong Kong、美国Lenovo (United States) Inc., Morrisville, North Carolina、美国Super Micro Computer, Inc., San Jose, California为列名被告。

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美国ITC正式对动态随机存取存储器(DRAM)设备及其下游产品和组件(III)启动337调查,原始来源为tushare_cls,发布时间为2026-09-24T16:08:18。【美国ITC正式对动态随机存取存储器(DRAM)设备及其下游产品和组件(III)启动337调查】财联社9月24日电,据中国贸易救济信息网消息,2026年9月23日,美国国际贸易委员会(ITC)投票决定对特定动态随机存取存储器(DRAM)设备及其下游产品和组件(III)启动337调查。2026年8月11日,美国Netlist, Inc. of Irvine, 相关主题:存储与HBM。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/news/108215。仅供研究学习参考,不构成投资建议。

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