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长鑫科技：拟241亿元、108亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目
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【长鑫科技：拟241亿元、108亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目】财联社9月28日电，长鑫科技(688825.SH)公告称，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。
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长鑫科技：拟241亿元、108亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目，原始来源为tushare_cls，发布时间为2026-09-28T21:29:03。【长鑫科技：拟241亿元、108亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目】财联社9月28日电，长鑫科技(688825.SH)公告称，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/108763。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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