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长鑫技术新突破：4F²架构产品预计年底亮相
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《科创板日报》10日讯，《科创板日报》记者获悉，长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
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长鑫技术新突破：4F²架构产品预计年底亮相，原始来源为财联社，发布时间为2026-10-10T18:50:00。《科创板日报》10日讯，《科创板日报》记者获悉，长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/110884。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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