消息称Groq正计划将3D堆叠式DRAM封装技术应用于下一代芯片

消息称Groq正计划将3D堆叠式DRAM封装技术应用于下一代芯片，原始来源为财联社，发布时间为2026-10-21T14:56:26。《科创板日报》21日讯，Groq正考虑将三维堆叠DRAM的封装技术应用于下一代芯片。这意味着将使用DRAM替代现有的SRAM。业内人士将此举解读为通过摆脱目前以SRAM为中心的芯片设计来大幅提升芯片容量。据悉，SRAM速度快但容量有限，而DRAM速度相对较慢，但更适合实现大容量芯片。3D封装技术将多个半导体芯片垂直堆叠而非平放，从而形成一个完整的芯片，与传统相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/113365。仅供研究学习参考，不构成投资建议。