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英飞凌将向奥地利工厂投资11亿欧元 目标量产300毫米晶圆氮化镓功率半导体
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英飞凌10月27日宣布，将在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。作为该项目的一部分，英飞凌计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂的现有洁净室设施投入约11亿欧元，旨在利用现有及升级后的基础设施实现产能扩张。该基地计划2027年底投产。
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英飞凌将向奥地利工厂投资11亿欧元 目标量产300毫米晶圆氮化镓功率半导体，原始来源为财联社，发布时间为2026-10-27T16:40:00。英飞凌10月27日宣布，将在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。作为该项目的一部分，英飞凌计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂的现有洁净室设施投入约11亿欧元，旨在利用现有及升级后的基础设施实现产能扩张。该基地计划2027年底投产。相关主题：功率半导体与SiC。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/115495。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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