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闪迪CEO：首款高带宽闪存（HBF）已完成流片 预计明年向客户交付首批样品
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闪迪董事长兼首席执行官David Goeckeler美东时间周四在2027财年第一财季电话会议上表示，首款高带宽闪存（HBF）存储芯片已完成流片。HBF是一种用于推理的新型存储架构，其读取带宽与HBM相当，但容量更大……旨在通过将NAND级容量更靠近处理器来补充HBM。” 预计明年将向客户交付首批样品。
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闪迪CEO：首款高带宽闪存（HBF）已完成流片 预计明年向客户交付首批样品，原始来源为财联社，发布时间为2026-10-30T10:36:42。闪迪董事长兼首席执行官David Goeckeler美东时间周四在2027财年第一财季电话会议上表示，首款高带宽闪存（HBF）存储芯片已完成流片。HBF是一种用于推理的新型存储架构，其读取带宽与HBM相当，但容量更大……旨在通过将NAND级容量更靠近处理器来补充HBM。” 预计明年将向客户交付首批样品。相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/118018。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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