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美光广岛DRAM工厂扩建2026年5月启动 目标2028年出货
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《科创板日报》1日讯，美光扩建日本广岛县东广岛市DRAM工厂的施工将于2026年5月启动，目标2028年实现HBM内存出货。美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货，2030年3-5月以最大产能进行生产。
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美光广岛DRAM工厂扩建2026年5月启动 目标2028年出货，原始来源为财联社，发布时间为2025-12-01T20:41:00。《科创板日报》1日讯，美光扩建日本广岛县东广岛市DRAM工厂的施工将于2026年5月启动，目标2028年实现HBM内存出货。美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货，2030年3-5月以最大产能进行生产。相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/19903。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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