阿斯麦CEO：High-NA EUV光刻改进方案已得到验证 预计2027至2028年大规模量产
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关键数据 • 量产时间： 2027-2028年 ↑ • 技术节点：支持2nm及以下先进制程 • 数值孔径：0.55（较传统EUV提升37%） 利好还是利空： 中长期偏利好 主要风险 • 量产时间可能延后，客户导入进度存在不确定性 • 设备单价超3亿美元，下游客户资本开支压力大 • 地缘政治因素影响设备出口和产业链协同 一句话总结： High-NA量产时间表明确，为先进制程竞争和半导体设备材料产业链提供清晰投资窗口。
先看核心要点
High-NA EUV技术验证完成 阿斯麦CEO确认High-NA极紫外光刻机改进方案已验证成功，成像效果和分辨率表现出色
目前正与客户合作完善系统成熟度，计划明年实现稳定运行， 2027-2028年 进入大规模量产阶段 ↑
技术驱动先进制程演进 光刻机代际升级加速 High-NA EUV是实现 2nm及以下 先进制程的关键设备，相比传统EUV数值孔径提升至0.55，可实现更精细的芯片制造
半导体为什么值得看
短期看： 设备验证成功提振市场信心，利好半导体设备产业链及配套零部件供应商，光刻胶、光掩模等 耗材环节 获得明确技术路线指引，研发投入预期增强
中长期看： 2027年量产将推动2nm以下先进制程商业化，重塑晶圆厂竞争格局
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资讯原文
《科创板日报》15日讯，阿斯麦（ASML）首席执行官克里斯托夫·富凯表示，公司为High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）所设计的光刻改进方案已得到验证，成像效果极佳，分辨率非常出色。目前公司正与客户合作，以全面完善该光刻系统的成熟度。报道称，阿斯麦将与客户密切配合，确保High-NA EUV在明年内实现停机时间降至最低的稳定运行。富凯预计，High-NA EUV将在2027至2028年间实现大规模量产。
