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我国科研团队在二维半导体领域取得新进展
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随着硅基芯片性能逼近物理极限，全球科学家正在寻找替代方案，以二硫化钼为代表的二维半导体就是其中之一。30日，国际顶级学术期刊《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作论文，他们创新研发“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。
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我国科研团队在二维半导体领域取得新进展，原始来源为财联社，发布时间为2026-01-30T09:11:11。随着硅基芯片性能逼近物理极限，全球科学家正在寻找替代方案，以二硫化钼为代表的二维半导体就是其中之一。30日，国际顶级学术期刊《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作论文，他们创新研发“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/47706。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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财联社
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