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美国ITC发布对半导体器件及其下游产品的337部分终裁

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据中国贸易救济信息网,2月2日,美国国际贸易委员会(ITC)发布公告称,对特定半导体器件及其下游产品作出337部分终裁:对本案行政法官于2025年12月2日作出的最终初裁(Final ID)进行部分复审,即关于美国注册专利号9,899,481横向晶体管器件的权利要求、侵权情况、申请方是否满足美国国内产业的技术和经济要素要求、有效性。当事各方、相关政府机构及其他利害关系人,可就建议救济措施、公共利益和保证金提交意见,书面材料不晚于2026年2月17日提交。英诺赛科(苏州)科技股份有限公司、英诺赛科(苏州)半导体有限公司、英诺赛科(珠海)科技有限公司、美国Innoscience America, Inc. of Santa Clara, CA为列名被告。

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美国ITC发布对半导体器件及其下游产品的337部分终裁,原始来源为财联社,发布时间为2026-02-03T11:06:24。据中国贸易救济信息网,2月2日,美国国际贸易委员会(ITC)发布公告称,对特定半导体器件及其下游产品作出337部分终裁:对本案行政法官于2025年12月2日作出的最终初裁(Final ID)进行部分复审,即关于美国注册专利号9,899,481横向晶体管器件的权利要求、侵权情况、申请方是否满足美国国内产业的技术和经济要素要求、有效性。当事各方、相关政府机构及其相关主题:算力芯片。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/news/49085。仅供研究学习参考,不构成投资建议。

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