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三星据悉将扩大用于HBM4的DRAM产能
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据报道，三星电子计划今年将基于10纳米工艺的第六代（1c）DRAM（用于HBM4）产量提升约170%。三星制定战略，将在韩国京畿道平泽第四工厂安装设备，计划明年第一季度实现月产10万至12万片DRAM晶圆；该生产线将全面配备制造HBM4用1c DRAM的设备。三星当前1c DRAM月产能为7万片晶圆。
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三星据悉将扩大用于HBM4的DRAM产能，原始来源为财联社，发布时间为2026-02-06T08:12:11。据报道，三星电子计划今年将基于10纳米工艺的第六代（1c）DRAM（用于HBM4）产量提升约170%。三星制定战略，将在韩国京畿道平泽第四工厂安装设备，计划明年第一季度实现月产10万至12万片DRAM晶圆；该生产线将全面配备制造HBM4用1c DRAM的设备。三星当前1c DRAM月产能为7万片晶圆。相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/51261。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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