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SK海力士发表HBF与HBM混合架构 性能提升高达2.69倍
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《科创板日报》12日讯，SK海力士近日通过发表在IEEE（电气与电子工程师协会）全球半导体大会上的论文，提出了一种新型半导体结构。该结构采用了HBM和HBF两种技术，公司将8个HBM3E和8个HBF置于英伟达Blackwell旁进行实验，结果表明，与单独使用HBM相比，这种配置可以将每瓦计算性能提升高达2.69倍。
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SK海力士发表HBF与HBM混合架构 性能提升高达2.69倍，原始来源为财联社，发布时间为2026-02-12T09:06:09。《科创板日报》12日讯，SK海力士近日通过发表在IEEE（电气与电子工程师协会）全球半导体大会上的论文，提出了一种新型半导体结构。该结构采用了HBM和HBF两种技术，公司将8个HBM3E和8个HBF置于英伟达Blackwell旁进行实验，结果表明，与单独使用HBM相比，这种配置可以将每瓦计算性能提升高达2.69倍。相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/54282。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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