消息称三星电子将停产2DNAND 闪存 原有产线用于1c nm DRAM内存制程

消息称三星电子将停产2DNAND 闪存 原有产线用于1c nm DRAM内存制程，原始来源为财联社，发布时间为2026-02-26T11:04:22。《科创板日报》26日讯，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/57891。仅供研究学习参考，不构成投资建议。