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三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能
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《科创板日报》27日讯，三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率，同时抢占HBM4市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。
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三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能，原始来源为财联社，发布时间为2026-02-27T15:02:00。《科创板日报》27日讯，三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率，同时抢占HBM4市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/58845。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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财联社
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