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国家发改委价格监测中心:存储芯片价格持续上涨并向下游传导

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国家发改委价格监测中心发文称,2025年9月至今,受需求“爆发式”增长、产能“断崖式”紧缺等因素影响,全球存储器市场缺口扩大,存储芯片价格持续上涨,近1个月多以来,涨幅呈现扩大态势,建议关注存储芯片对下游价格的影响。调研反映,截至今年1月,存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最高。以主流型号为例,1月DARM(DDR4 8Gb 1G*8)合约平均价格为11.5美元,比上月上涨约24%,比2025年9月上涨约83%;NAND闪存(128Gb 16G*8 MLC)合约平均价格为9.5美元,比上月上涨约65%,比2025年9月上涨近1.5倍。国家发改委价格监测中心还表示,当前,存储芯片正处于上涨周期。年内来看,在AI服务器算力需求持续增长的带动下,全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续,存储芯片价格将延续上涨态势。存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品。随着AI应用渗透率提升,消费者对高端化、智能化的消费电子产品的偏好增强,消费升级趋势明显,对内存性能的要求更高。厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限,上调终端价格将成为普遍趋势。目前联想、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发布调价函,涨幅普遍在500~1500元之间,小米、vivo等国产新发售机型相同存储配置版本价格较上一代上涨300~500元。受存储芯片价格上涨及对下游的传导影响,PPI方面,计算机、通信及其他电子设备制造业分项价格有望止跌企稳,对PPI的拖累作用有所减弱。CPI方面,叠加提振消费政策效果持续显现,通讯工具分项价格将继续回升。

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国家发改委价格监测中心:存储芯片价格持续上涨并向下游传导,原始来源为财联社,发布时间为2026-02-28T17:05:00。国家发改委价格监测中心发文称,2025年9月至今,受需求“爆发式”增长、产能“断崖式”紧缺等因素影响,全球存储器市场缺口扩大,存储芯片价格持续上涨,近1个月多以来,涨幅呈现扩大态势,建议关注存储芯片对下游价格的影响。调研反映,截至今年1月,存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最高。以主流型号为例,1月DARM(DDR4 8G相关主题:存储与HBM。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/news/59017。仅供研究学习参考,不构成投资建议。

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