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三星引入全新供电架构以降低HBM缺陷率

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《科创板日报》3日讯,设计高效且结构良好的电源分配网络正成为HBM行业面临的最关键挑战之一,三星预计将于今年开始量产HBM4E,并引入一种全新的供电架构——PDN分段技术。据悉,采用新的供电网络后,HBM4E的金属电路缺陷相比HBM4减少了97%,IR压降降低了41%。更低的IR压降扩大了电压裕度,从而提高了运行速度并增强了芯片的整体可靠性。

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三星引入全新供电架构以降低HBM缺陷率,原始来源为财联社,发布时间为2026-03-03T09:14:14。《科创板日报》3日讯,设计高效且结构良好的电源分配网络正成为HBM行业面临的最关键挑战之一,三星预计将于今年开始量产HBM4E,并引入一种全新的供电架构——PDN分段技术。据悉,采用新的供电网络后,HBM4E的金属电路缺陷相比HBM4减少了97%,IR压降降低了41%。更低的IR压降扩大了电压裕度,从而提高了运行速度并增强了芯片的整体可靠性。相关主题:算力芯片。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/news/59918。仅供研究学习参考,不构成投资建议。

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