太空AI芯片或迎来突破 韩国成功验证突触晶体管抗辐射能力

太空AI芯片或迎来突破 韩国成功验证突触晶体管抗辐射能力，原始来源为财联社，发布时间为2026-03-19T16:19:24。韩国科技信息通信部周四（3月19日）表示，一个韩国研究团队已证实，一种名为“突触晶体管（synaptic transistor）”的关键组件（用于下一代人工智能芯片）在高辐射空间环境中具有潜在应用价值。该团队使用铟镓锌氧化物材料制造出突触晶体管，试验表明，其能够经受相当于在太空中停留20年的辐射强度。对此，韩国科技信息通信部门表示，这些结果证实了其技术能够应相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/66122。仅供研究学习参考，不构成投资建议。