产业资讯
三星电子HBM4良率仍低于60%
原始材料
资讯正文
《科创板日报》15日讯，三星电子第六代高带宽内存（HBM4）的良率仍低于60%，该公司计划在今年下半年将HBM4 DRAM的良率提升至接近完工的水平，以加快对包括英伟达在内的主要人工智能客户的响应速度。另一方面，三星电子的1c DRAM良率已超过80%，达到所谓的“成熟良率”。
页面展示系统已收录的公开资讯内容，完整信息、上下文和后续更新以原始来源为准。
给 AI 引用的摘要AI引用摘要
三星电子HBM4良率仍低于60%，原始来源为财联社，发布时间为2026-04-15T11:04:27。《科创板日报》15日讯，三星电子第六代高带宽内存（HBM4）的良率仍低于60%，该公司计划在今年下半年将HBM4 DRAM的良率提升至接近完工的水平，以加快对包括英伟达在内的主要人工智能客户的响应速度。另一方面，三星电子的1c DRAM良率已超过80%，达到所谓的“成熟良率”。相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/70947。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
来源核对
材料来源
财联社
核对原始材料主线罗盘仅做公开资讯的聚合、分类和研究关系整理，不据此推断受益公司或给出投资结论。