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SK海力士：HBM混合键合工艺良率已得到提升
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《科创板日报》28日讯，SK海力士宣布，其高带宽存储器（HBM）混合键合工艺的良率已得到提升。公司技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）表示，采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成，目前正在提高良率，以便将其应用于量产。
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SK海力士：HBM混合键合工艺良率已得到提升，原始来源为财联社，发布时间为2026-04-28T14:55:00。《科创板日报》28日讯，SK海力士宣布，其高带宽存储器（HBM）混合键合工艺的良率已得到提升。公司技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）表示，采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成，目前正在提高良率，以便将其应用于量产。相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/72141。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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