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三星HBM3E和HBM4 DRAM良率提高
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据媒体援引内部消息人士透露，三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代（1b）DRAM的良率提高到92%（基于冷态测试），并将安装在HBM4上的第六代（1c）DRAM的良率提高到75%以上。
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三星HBM3E和HBM4 DRAM良率提高，原始来源为财联社，发布时间为2026-05-19T20:46:00。据媒体援引内部消息人士透露，三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代（1b）DRAM的良率提高到92%（基于冷态测试），并将安装在HBM4上的第六代（1c）DRAM的良率提高到75%以上。相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/80276。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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财联社
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