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铠侠计划2027年量产第十代BiCS 3D NAND闪存
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《科创板日报》25日讯，据报道，业内消息人士指出铠侠计划在2027年量产第十代BiCS FLASH产品，相关投资细节待到2026H2会更为明朗。这一时点晚于此前曝光的2026年量产计划。从技术规格来看，BiCS10采用332层单元堆栈架构，相比现款218层的BiCS8增加约52%，密度提升高达59%，且配合Toggle DDR 6.0接口标准，其I/O传输速率从上一代的3.6G bps提升至4.8G bps(增幅约33%)，同时输入功耗降低10%、输出功耗降低34%，在标准TLC模式下可实现单颗2Tb的储存容量。
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铠侠计划2027年量产第十代BiCS 3D NAND闪存，原始来源为财联社，发布时间为2026-05-25T14:24:00。《科创板日报》25日讯，据报道，业内消息人士指出铠侠计划在2027年量产第十代BiCS FLASH产品，相关投资细节待到2026H2会更为明朗。这一时点晚于此前曝光的2026年量产计划。从技术规格来看，BiCS10采用332层单元堆栈架构，相比现款218层的BiCS8增加约52%，密度提升高达59%，且配合Toggle DDR 6.0接口标准，其I/O传输速相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/80939。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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