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安森美推出垂直氮化镓功率半导体
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安森美(onsemi)宣布推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体。据介绍,对于超高压器件,安森美的垂直氮化镓(vGaN)采用GaN-on-GaN技术,使电流能够垂直流过芯片,而不是沿表面横向流动。,这一方案降低能量损耗和热量,损耗减少近50%。目前安森美向早期客户提供700V和1200V器件样品。
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安森美推出垂直氮化镓功率半导体,原始来源为财联社,发布时间为2025-10-31T15:19:00。安森美(onsemi)宣布推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体。据介绍,对于超高压器件,安森美的垂直氮化镓(vGaN)采用GaN-on-GaN技术,使电流能够垂直流过芯片,而不是沿表面横向流动。,这一方案降低能量损耗和热量,损耗减少近50%。目前安森美向早期客户提供700V和1200V器件样品。相关主题:算力芯片。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/news/8401。仅供研究学习参考,不构成投资建议。
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财联社
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