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芯联集成控股公司芯联动力推出3300V SiC MOSFET
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《科创板日报》23日讯，芯联集成控股公司芯联动力日前宣布正式推出3300V SiC MOSFET器件，并已向核心客户送样验证。据介绍，该产品填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白，是AI基础设施电源及高压宽禁带半导体领域的关键突破。基于3300V器件优势形成的综合方案，可实现系统级BOM成本降低20%-35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。
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芯联集成控股公司芯联动力推出3300V SiC MOSFET，原始来源为财联社，发布时间为2026-06-23T11:04:17。《科创板日报》23日讯，芯联集成控股公司芯联动力日前宣布正式推出3300V SiC MOSFET器件，并已向核心客户送样验证。据介绍，该产品填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白，是AI基础设施电源及高压宽禁带半导体领域的关键突破。基于3300V器件优势形成的综合方案，可实现系统级BOM成本降低20%-35%，为固态变压器向更高开关频相关公司：芯联集成-U（688469）；相关主题：功率半导体与SiC。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/84907。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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