三星HBM4E良率突破70% 第七代AI内存开发进入稳定阶段

三星HBM4E良率突破70% 第七代AI内存开发进入稳定阶段，原始来源为财联社，发布时间为2026-07-01T15:15:00。三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/86106。仅供研究学习参考，不构成投资建议。