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铠侠-闪迪BiCS10（332 层）3D NAND闪存进入出样阶段
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《科创板日报》3日讯，铠侠-闪迪联盟宣布，由双方合作开发的第10代BiCS FLASH 3D闪存现已启动样品交付，首款产品为1Tb TLC。BiCS10采用332层堆叠设计，由铠侠日本岩手北上Fab2晶圆厂生产，延续了BiCS8时代导入的CMOS直接键合到阵列 (CBA) 和节距选通 (OPS) 两大新技术。
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铠侠-闪迪BiCS10（332 层）3D NAND闪存进入出样阶段，原始来源为财联社，发布时间为2026-07-03T08:57:12。《科创板日报》3日讯，铠侠-闪迪联盟宣布，由双方合作开发的第10代BiCS FLASH 3D闪存现已启动样品交付，首款产品为1Tb TLC。BiCS10采用332层堆叠设计，由铠侠日本岩手北上Fab2晶圆厂生产，延续了BiCS8时代导入的CMOS直接键合到阵列 (CBA) 和节距选通 (OPS) 两大新技术。相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/86470。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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