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三星电子扩大与英伟达NAND供应合作 加速V9、V10闪存布局
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三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作，在此前已开展DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，并推进第十一代500层级V-NAND（V11）开发。据悉，三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能，其中约60%产能分配给V9产品。
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三星电子扩大与英伟达NAND供应合作 加速V9、V10闪存布局，原始来源为财联社，发布时间为2026-07-21T17:51:00。三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作，在此前已开展DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，并推进第十一代500层级V-NAND（V11）开发。据悉，三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能，其中相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/88332。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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财联社
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