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SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠 导入晶圆键合技术
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《科创板日报》7日讯，SK海力士在其FMS 2026峰会新闻稿中确认，其继321层V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。SK海力士计划2027年上半年量产基于V10 NAND的企业级固态硬盘。
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SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠 导入晶圆键合技术，原始来源为财联社，发布时间为2026-08-07T19:02:00。《科创板日报》7日讯，SK海力士在其FMS 2026峰会新闻稿中确认，其继321层V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。SK海力士计划2027年上半年量产基于V1相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/89951。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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