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纵慧芯光高端光通信芯片及器件研发制造基地落户常州
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据“常州发布”，8月11日上午，纵慧芯光高端光通信芯片及器件研发制造基地签约落户常州。本次签约项目持续投入总计约50亿元，将重点建设磷化铟高端激光芯片研发及量产产线，助推国内光通信核心芯片的国产化进程。
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纵慧芯光高端光通信芯片及器件研发制造基地落户常州，原始来源为财联社，发布时间为2026-08-11T22:12:00。据“常州发布”，8月11日上午，纵慧芯光高端光通信芯片及器件研发制造基地签约落户常州。本次签约项目持续投入总计约50亿元，将重点建设磷化铟高端激光芯片研发及量产产线，助推国内光通信核心芯片的国产化进程。相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/90408。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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财联社
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