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消息称三星电子目标今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发
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《科创板日报》19日讯，近日，据业内人士透露，三星电子目标2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发，2026年12月进入量产转移阶段，2027年上半年启动生产线建设，有望2027年底实现首批量产。
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消息称三星电子目标今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发，原始来源为财联社，发布时间为2026-08-19T15:36:00。《科创板日报》19日讯，近日，据业内人士透露，三星电子目标2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发，2026年12月进入量产转移阶段，2027年上半年启动生产线建设，有望2027年底实现首批量产。相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/92192。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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财联社
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