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铠侠将在日本新建Fab3工厂 目标2029财年开始运营

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铠侠宣布已开始为日本岩手县北上市工厂新建Fab3厂房进行场地准备等相关工作,以扩大先进3D闪存BiCS FLASH产能。Fab3将建于现有Fab2南侧,目标于2029财年开始运营。铠侠表示,随着智能体AI、物理AI和端侧AI发展,中长期闪存市场预计将持续大幅增长。公司将通过建设Fab3扩大产能并确保先进闪存产品稳定供应。Fab3的具体建设进度和设备投资计划将根据市场趋势确定,相关投资取决于政府支持。

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铠侠将在日本新建Fab3工厂 目标2029财年开始运营,原始来源为财联社,发布时间为2026-08-27T17:03:41。铠侠宣布已开始为日本岩手县北上市工厂新建Fab3厂房进行场地准备等相关工作,以扩大先进3D闪存BiCS FLASH产能。Fab3将建于现有Fab2南侧,目标于2029财年开始运营。铠侠表示,随着智能体AI、物理AI和端侧AI发展,中长期闪存市场预计将持续大幅增长。公司将通过建设Fab3扩大产能并确保先进闪存产品稳定供应。Fab3的具体建设进度和设备投资计划将相关主题:算力芯片。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/news/95612。仅供研究学习参考,不构成投资建议。

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