半导体：长存三期注册成立，持续利好国产存储链250910

<p style="text-indent:32px"><span style="letter-spacing: 0px; font-size: 16px;"><span style="">长江存储三期于</span> <span style="">9 月 5 日注册成立，注册资本 207.2 亿元，大股东为长江存储。根据 Trendforce 数据，目前长江存储在全球 NAND 市场占有率约 8.1%；根据《电子时报》报道，计划到 2026 年底增长到全球占比 15%。考虑到未来国产存储持续扩产，叠加设备国产化率的快速提升，我们预计对国产设备、零部件和材料需求有显著拉动，建议持续关注国产存储链相关公司。长江存储三期注册成立，注册资本 207.2 亿元。工商信息显示，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司（长存三期）于 9月 5 日成立，注册资本 207.2 亿元，大股东为长江存储科技有限责任公司，法定代表人为长江存储董事长陈南翔。股东信息显示，长存三期由长江存储持股50.19%、湖北长晟三期投资发展有限责任公司持股 49.81%，湖北长晟三期投资发展有限责任公司为湖北国资旗下企业。长江存储成立于 2016 年 7 月，是国内专注于 3D NAND 闪存及存储器解决方案的领军企业。根据 Trendforce 数据，2025Q1 全球 NAND 市场中，长江存储全球市占率为 8.1%；《电子时报》报道称，长江存储计划到 2026 年底产能在全球占比有望达到 15%。国内先进存储/逻辑未来积极扩产，有望拉动可观的半导体设备需求。对标全球供需及产能分布情况，我们测算国内先进存储和先进逻辑产能缺口巨大（远期看预计~200 万片/月），国内现有产能远不能满足未来本土化需求，因此我们预计国内先进逻辑/存储晶圆厂未来 3~5 年扩产将持续加速，对半导体设备的采购需求持续提升，参考 SEMI 的数据，预计对应平均每年半导体设备采购需求超 300 亿美元。国产化看，我们梳理汇总国内几家主要晶圆厂的国产化率，估算当前半导体设备国产化率合计约为 30%，其中光刻、刻蚀、离子注入、涂胶显影、量检测等设备的国产化率低于平均水平。2023 年开始，国内晶圆厂逐渐打造高国产化产线，其中先进存储突破进度相对更快，逻辑紧随其后。根据Digitimes 报道，国产存储晶圆厂正积极推进半导体设备国产替代，降低对海外供应商的依赖，目前已在蚀刻和沉积工艺方面突破关键障碍。我们预计未来国产存储持续扩产对国产设备、零部件等需求有显著拉动，有望逐步释放订单需求。风险因素：下游需求复苏不及预期；芯片价格持续下跌；行业竞争加剧；新技术研发进展缓慢；国际地缘政治冲突等。投资策略：我们预计 2025 年国内先进存储晶圆厂扩产需求保持稳定；2026 年随着新产线的落地有望快速提升，叠加上游环节的国产替代需求，有望带动国内半导体设备、零部件和材料环节的需求加速成长。</span></span></p><p><br/></p>