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电子行业:LPDDR4X成品普涨,Q4NAND或涨5-10%-存储芯片周度跟踪(2025.09.22-2025.09.26)

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甬兴证券
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存储与HBM
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陈宇哲
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研报摘要与内容

<p>&nbsp; #核心观点: 1、NAND Flash方面,TrendForce预计第四季度价格将全面上涨,平均涨幅达5-10%,主要受QLC产品热度外溢效应驱动;上周NAND颗粒现货价格平均上涨1.12%,多数料号价格上涨。 2、DRAM方面,美光上调2025年服务器总出货量增长预期至约10%,高于此前预期;上周DRAM现货价格全部上涨,平均涨幅7.83%;美光预计2026年行业DRAM供应将趋于紧张。 3、HBM方面,美光科技CEO指出HBM芯片供不应求,供需不平衡将加剧;2026年HBM产能已基本锁定,需求增长显著,预计出货量增速将超过整体DRAM,成为存储板块核心增长动力。 4、市场端方面,在资源涨价和需求端询单增加推动下,上周嵌入式NAND和LPDDR4X成品迎来普涨行情,eMMC、UFS和LPDDR4X价格普遍上调。 #投资建议: 1、HBM产业链:受益于算力芯片提振HBM需求,相关产业链有望加速成长,建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科。 2、存储芯片:受益于供应端推动涨价、库存回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升,产业链有望探底回升,推荐东芯股份,建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利。 #风险提示: 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。&nbsp;</p>

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电子行业:LPDDR4X成品普涨,Q4NAND或涨5-10%-存储芯片周度跟踪(2025.09.22-2025.09.26),原始来源为甬兴证券,发布时间为2025-09-30。<p>&nbsp; #核心观点: 1、NAND Flash方面,TrendForce预计第四季度价格将全面上涨,平均涨幅达5-10%,主要受QLC产品热度外溢效应驱动;上周NAND颗粒现货价格平均上涨1.12%,多数料号价格上涨。 2、DRAM方面,美光上调2025年服务器总出货量增长预期至约10%,高于此前预期;上周DRAM现货价格全部上涨,平均涨幅7.8相关主题:存储与HBM。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/research/14320。仅供研究学习参考,不构成投资建议。

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