半导体设备行业：25Q3前道制造设备进口额创新高，先进工艺加速扩产－专题报告251027

<p style="text-indent:32px"><span style="letter-spacing: 0px; font-size: 16px;">25Q3 前道制造设备进口额创新高，先进工艺加速扩产。根据海关总署数据，25Q3 前道设备进口总额为 101.87 亿美元，同比增长 15.28%，环比增长33.15%，创历史新高；CVD 设备、干法刻蚀设备、离子注入设备等核心工艺装备进口数量和单价均处于历史高位。我们认为，设备进口额和单价的大幅增长表明中国大陆晶圆厂正积极扩产且向更先进的节点迈进。国产存储持续突破，加速进军高端市场。Counterpoint 数据显示，长江存储 25Q2 全球 NAND 市占率达 9%，同比提升 3 个百分点，环比提升 1 个百分点；同时长江存储计划 25Q3 起进入企业级固态硬盘（eSSD）市场，加速进军高端市场。长鑫存储已正式推出 LPDDR5X 系列产品，涵盖 12GB、16GB、24GB、32GB 多种容量，速率覆盖 8533Mbps、9600Mbps 至 10677Mbps，并提供多种封装解决方案。同时，长鑫存储正在研发一款厚度仅 0.58mm 的LPDDR5X，若成功量产将成为业内最薄 LPDDR5X 产品。根据 Financial News，长鑫存储计划在 2025 年底前交付 HBM3 样品，预计 2026 年开始全面量产。先进节点产能缺口巨大，产业链自主可控迫在眉睫。当前本土先进节点晶圆产能难以满足高速增长的算力所需，从设备、制造等层面增强算力基础设施的整体能力和产业保障尤为迫切。摩尔线程表示，中国约有 300 万张 GPU 卡的产能缺口。当前国内半导体产业链从上游的设备与材料到中游的半导体制造再到下游的先进封装，均致力于提升算力芯片的国产化率；半导体设备国产化大势所趋，且当前设备国产化率仍处于较低水平，替代空间广阔。随着摩尔定律逐渐放缓以及国内光刻技术受限，国内厂商有望更加积极通过新结构、新工艺、新材料等多维度创新以实现芯片性能的提升，如 NAND的 Xtacking 架构、DRAM 的 4F2 架构、逻辑芯片的背面供电等。相比海外设备厂商，国产设备公司具备有效服务、定制能力和紧密围绕客户需求三大独特优势。我们认为，国产设备厂商通过加强与下游客户的合作，以新结构等创新为契机，实现先进节点国产加速替代。建议关注：北方华创、华海清科、中微公司、芯源微、拓荆科技、联合化学、中科飞测、盛美上海、微导纳米等。风险提示：行业与市场波动风险，国际贸易摩擦风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，晶圆厂产能扩张进度不及预期风险，行业竞争加剧风险。</span></p><p><br/></p>