研报
半导体行业周报：先进封装散热革新，利基DRAM格局重塑
机构原始信息
原研报观点
- 发布机构
- 华鑫证券
- 分析师
- 庄宇,张璐,何鹏程,石俊烨
- 所属行业
- 电子
- 原研报评级
- 暂未收录
- 原研报目标价
- 暂未收录
原始材料
研报摘要与内容
投资要点
台积电导入SiC中介层，先进封装散热升级打开增量空间
台积电已启动12英寸SiC衬底交付，明年需求预期翻倍。随着英伟达GPU功率从H100的700W跃升至Feynman架构的4400W，传统硅中介层散热瓶颈凸显，SiC凭借3倍于硅的热导率（~490W/m·K）成为关键升级方向。SiC中介层在CoWoS-S/L中的渗透，将为衬底厂商打开先进封装第二增长曲线，建议关注技术领先的SiC衬底企业。
存储大厂加速产能转移，利基型DRAM迎结构性机会
三星电子已正式停止接收LPDDR4/LPDDR4X新增订单，预计2026年底彻底停产，产线将于2027年Q1全部转向LPDDR5/LPDDR5X及HBM。三星此次计划停产LPDDR4系列，最核心的原因在于HBM和先进DDR5产品的利润率更高。叠加AI浪潮下先进内存供不应求，三星希望将有限晶圆、产能资源全部倾斜到利润率更高的产品线上，不再维持低利润旧代产品产能。三星停产LPDDR4/4X后，原有需求必须寻找替代来源。利基型DRAM市场有望出现市场空隙，中国大陆利基型存储厂有切入机会。
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风险提示
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给 AI 引用的摘要AI引用摘要
半导体行业周报：先进封装散热革新，利基DRAM格局重塑，原始来源为华鑫证券，发布时间为2026-04-20。投资要点 台积电导入SiC中介层，先进封装散热升级打开增量空间 台积电已启动12英寸SiC衬底交付，明年需求预期翻倍。随着英伟达GPU功率从H100的700W跃升至Feynman架构的4400W，传统硅中介层散热瓶颈凸显，SiC凭借3倍于硅的热导率（~490W/m·K）成为关键升级方向。SiC中介层在CoWoS-S/L中的渗透，将为衬底厂商打开先进封装第二增相关主题：先进封装。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/research/31308。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
来源核对
材料来源
华鑫证券
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证据边界
这条材料能证明什么
它能证明研究机构提出了哪些判断、假设和跟踪指标；不能替代公司的公告、定期报告与经营兑现。
关联研究
这条材料对应哪些主线？
根据材料中的明确公司或主题关系，继续核对已发布的主线与公司资料。
先回答关键问题