硅电容专题报告：MLCC进阶方案，渗透率有望迅速提升

摘要 　　MLCC潜在替代方案，渗透率有望迅速提升。随着GPU、HBM和AI加速器功耗快速攀升，传统MLCC与PCB级供电体系已经难以满足超高频、低电压、大电流场景下的稳定供电需求。相对而言，硅电容具有密度高，低ESL等特点，可直接嵌入先进封装、光模块、硅中介层（Interposer）与GPU/HBM周边，实现更短的供电回路与更低的电压跌落，从而满足AI芯片不断提升的瞬态供电需求。 　　与传统的多层陶瓷电容器（MLCC）相比，它主要有四大优势。1）容值密度高：1mm厚度的硅电容即可等效80层陶瓷层的有效电容面积（约3-4mm）；2）温度稳定性佳：125-150°C基本没有温漂现象；3）老化较慢：老化速率为MLCC的1/10；4）尺寸较小：最低可以低至50微米。硅电容目前正处于从技术可行向大规模量产的过度阶段。 　　潜在市场空间广阔，TAM可达百亿级。根据QY Research测算，全球硅电容器市场预计将从2024年的10.65亿美元增长到2031年的18.15亿美元，2024年至2031年期间的年均增长率（CAGR）为7.90%。这一增长主要受到微型化电子设备以及高性能电容器需求增加的驱动。随着技术不断进步，对高效能、尺寸小巧的电容器需求逐渐增大，硅电容潜在市场发展空间可达百亿级。 　　风险提示：AI落地不及预期、市场需求不及预期、行业竞争加剧。