AI算力行业周报：SpaceX锁定英伟达GPU供应推进算力基建，三星发布AI存储技术路线图

投资要点 　　马斯克宣布SpaceX将独家采用英伟达芯片，2027年算力目标近10GW 　　当地时间8月4日，特斯拉与SpaceX CEO埃隆·马斯克在财报会议上宣布，SpaceX未来的人工智能（AI）基础设施将完全独家采用英伟达的芯片与技术。 　　马斯克明确指出，SpaceX决定在未来AI基础设施建置上完全独家使用英伟达产品，原因在于英伟达的Vera Rubin构架是目前市场上最优秀的AI构架。目前，SpaceX已与英伟达达成共识，2027年将取得英伟达非常显著比例的GPU供应。算力扩张计划方面，SpaceX预计2026年底将拥有超过2GW的算力，而到2027年底累计上线算力将接近10GW，远高于5GW的业界水平。 　　三星公布AI存储路线图，zHBM性能较HBM5提升4-8倍 　　8月4日，三星电子于2026年未来存储大会（FMS2026）上展示其面向AI和高性能计算（HPC）的最新3D存储产品组合与技术路线图，首度公开zHBM与zNAND-O概念模型，并推出业界首款层数超过400层的V10BV-NAND。 　　zHBM专为先进AI运算设计，打破HBM置于处理器旁的传统设计，改将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，预估性能可达HBM5的4至8倍。通过下一代晶圆键合技术，zHBM内存密度较HBM5提升10倍以上，能源效率提升3倍，热阻降低50%以上，且支持定制化设计，允许客户在夹层中整合专属IP。 　　zNAND-O基于V-NAND技术，提供4层和8层两种配置，专为边缘AI环境优化，具备高空间效率、低延迟与强大I/O性能，可支持即时且数据密集型的AI应用。三星还推出V10BV-NAND，采用晶圆键合技术，层数高达400层以上，存储密度较前代V9大幅提升约58%，读写、I/O性能与能源效率皆有显著提升。 　　建议关注：兴森科技、长鑫科技、东材科技、华虹宏力。