AI算力行业周报：英伟达发布NVHBM重构内存架构，ABF载板交期拉长

投资要点 　　英伟达推出定制化高带宽内存技术NVHBM，AWS计划2027至2028年额外部署200万颗GPU 　　当地时间8月26日，英伟达宣布推出新一代定制高带宽内存技术NVHBM，并将其纳入NVLink Fusion生态。该技术核心设计颠覆了传统HBM架构，将英伟达自研的定制化内存控制器从XPU运算晶粒转移到HBM堆叠中的Base Die上。英伟达宣称，相较标准HBM4E可实现最高30%的内存带宽提升、15%的HBM功耗降低，并可释放最多25%的XPU运算晶粒面积用于计算单元。此外，新设计的定制化物理层接口比JEDEC标准HBM4E减少了67%的I/O面积，简化了先进封装中硅中介层的布线复杂度。 　　与此同时，英伟达与AWS宣布扩大合作，双方计划于2027年至2028年间在AWS全球基础设施中额外部署200万颗英伟达GPU，覆盖Blackwell Ultra、Rubin及Rubin Ultra架构。 　　ABF载板2026年产能已全部预定完毕，交期拉长至12至14个月，2028年供需缺口预计扩大至42%至51% 　　8月28日消息，根据semianalysis最新研究，2026年六家主要ABF基板供应商的产能已全部预定完毕，整体交期拉长至12至14个月，相比2025年初的约6至8个月延长了近一倍。推动交期持续拉长的核心原因在于，新一代ASIC与GPU平台规格快速升级，先进封装芯片体积持续放大，单颗芯片占用产线时间显著增加。以英伟达新一代Rubin GPU为例，其所需载板面积较前一代Blackwell增加达123%。与此同时，台积电CoWoS先进封装产能同步扩张，成为拉动载板需求的另一重要变量。ABF基板紧缺的另一大根源在于上游ABF增层膜供应极度集中，全球90%以上甚至95%的ABF增层膜供应由日本味之素一家公司掌握，味之素部分产能已被预订至2027年，新工厂计划2028年动工、2032年投产，2032年前无大规模新产能释放。市场研究机构预测，2026年下半年缺口约8%至10%，2027年扩大至21%至34%，2028年上看42%至51%。 　　随着ABF基板交期超过12个月，客户已开始洽谈2029年之后的长期产能承诺，部分二线供应商已开始通过竞标方式拍卖剩余产能。近期，味之素削减中国大陆市场30%供货量，使大陆ABF本土自给率不足5%的矛盾进一步凸显，加速了华正新材CBF膜、深圳纽菲斯NBF膜等本土厂商的替代进程。 　　建议关注：天孚通信、天准科技、兴森科技、华虹宏力、中芯国际、寒武纪。