电子元器件行业：GPU供电趋势，多相DrMOS价值量倍增250330

<p style="text-indent:32px"><span style="font-size: 16px;"><span style="">随着</span> <span style="">GPU 能耗的不断攀升，单卡配套的DrMOS 和多相控制器的价值量呈现出显著的增长趋势。在 AI 服务器领域，高算力需求导致GPU 功耗大幅提升，以英伟达的 H100 芯片为例，其单颗功耗较高，对电源供应方案的要求也随之提高。在 PC 供电方面，小模型本地部署的兴起将带动具备独立显卡的高配置游戏本电脑的销量增长。由于游戏本的能耗是办公本的数倍，其配套的 DrMOS 和多相控制器的价值量也相应是办公本的数倍。上述趋势直接推动了单卡配套的 DrMOS 和多相控制器价值量的持续增长，这一趋势为相关企业带来了广阔的市场空间和发展机遇。推荐标的：杰华特、晶丰明源。</span></span></p><p style="text-indent:32px"><span style="font-size: 16px;">随着 AI 芯片等高性能计算芯片的发展，其能耗日益攀升。以英伟达 H100 芯片为例，其热设计功耗高达 700 瓦，远超英特尔Skylake/Cascade Lake 系列 CPU 的不足 200 瓦。未来芯片为承载更高计算密度，能耗需求将进一步提升，导致电力传输与转换过程中的损耗大幅跃升，且损耗增幅远超功耗增长比例。鉴于电力成本在数据中心运营成本中占据大头，降低电力损耗对于优化总体拥有成本至关重要，促使从机架层级到芯片层级的供电网络架构被重新规划与设计，以攻克高耗能计算任务所衍生的电力难题。</span></p><p style="text-indent:32px"><span style="font-size: 16px;">企业纷纷从 12V 供电转向 48V 供电以降低整体电阻损耗。以 240W、工作电压 1.2 伏的 AMD CPU 和 700 瓦、工作电压 0.8 伏的英伟达GPU 为例，从 12 伏输入降至芯片所需电压时，电流大幅增加，电阻损耗呈指数级飙升，而从 12 伏提升至 48 伏，所需电流减为四分之一，损耗随之降低 16 倍。谷歌于 2016 年提出 48V 架构，48V 架构可以有效提升效率，降低损耗。针对第一阶段降压，英伟达 DGX服务器采用中间总线转换器模块，GB200 服务器改用配电板模块实现降压。针对第二阶段降压，通常采用电压调节模块（VRM），将12V 输入电压转换为适配 SoC 运行所需电压。</span></p><p style="text-indent:32px"><span style="font-size: 16px;">多相控制器与 DrMOS 的组合已成为第二阶段最主流的供电方案，AI 渗透率提升驱动相关电源芯片价值量提升。DrMOS 核心壁垒在BCD 工艺，该工艺充分发挥了 Bipolar 驱动能力、CMOS 高集成度和低功耗、DMOS 高压大电流通流能力的优势。BCD 未形成统一工艺标准，各厂家将自己研发的 BCD 工艺视为核心竞争力之一。在价值量方面：①服务器供电，DrMOS +多相在不同类型服务器上的价值量存在明显差异，通用服务器中单台电源管理芯片价值量约 80 美元，AI 服务器中单台多相电源芯片价值量相较于通用服务器有数倍提升，随着 AI 服务器渗透率持续上升，相关供电芯片价值量上升。②PC 供电，大模型本地部署促使 PC 硬件升级，功耗成倍增长，供电芯片价值量亦成倍增长，高配置 PC 出货占比有望持续上升。</span></p><p><br/></p>