🧭 先看这份研报的核心结论

通用设备中与光通信相关的InP设备链景气正在抬升，核心变化是CPO带动InP需求放大，但供给扩张仍慢于需求。

📌 核心要点

CPO架构下激光器从分散低功率转向集中高功率，InP用量明显抬升。

InP供需缺口预计延续至2027至2028年，短期瓶颈仍在衬底供给与扩产节奏。

晶体生长与外延设备专用性强、验证周期长，设备需求先受益且海外主导明显。

💡 为什么需要继续看

市场从关注光模块，开始转向更上游的InP材料与设备，产业链受益方向在前移。

研报给出了供需缺口、扩产时间和设备环节约束，便于后续验证景气是否兑现。

⚠️ 风险提示

若AI光互连需求传导放缓，CPO和高速模块放量节奏可能低于预期。

若InP衬底扩产良率爬坡不顺，设备需求释放也可能出现阶段性延后。

# 关键词

光通信 CPO InP 外延设备 产能扩张 供需缺口

📊 关键数据

InP晶圆市场规模

2.21亿至3.86亿美元

2026年至2031年，CAGR为11.73%

InP器件端外延需求

60万至288万cm²

按全球交换机端口50万至60万测算

单路激光器功率

低于100mW至约300mW

传统可插拔对比CPO架构

AIXTRON市占率

约77%

Yole口径，2024年InP外延MOCVD设备

📌 接下来重点跟踪什么

跟踪CPO在Scale-out与Scale-up场景中的订单兑现节奏。

跟踪InP衬底新增产能的上线时间、良率爬坡和尺寸升级进展。

跟踪晶体生长炉与MOCVD设备在头部客户中的导入与交付情况。

📄 研报内容摘录

通用设备中与光通信相关的InP设备链景气正在抬升，核心变化是CPO带动InP需求放大，但供给扩张仍慢于需求。；CPO架构下激光器从分散低功率转向集中高功率，InP用量明显抬升。