功率半导体与SiC · MOSFET/功率分立器件/IDM平台
MOSFET/功率分立器件/IDM平台:美股隔夜主题篮子
MOSFET与分立IDM锚点整体偏强:ON涨2.16%,DIOD涨0.35%,篮子均值涨1.26%,两者均上涨,跑赢SPY涨0.66%,但略低于QQQ涨1.37%。这更接近细分同业的正向共振,可通过汽车、工业及电源管理需求向A股分立器件IDM传导。限制是两只样本中ON对涨幅贡献较高,存在单股集中影响。A股开盘后需验证是否有多只分立器件公司同步活跃,而非仅少数个股异动。
MOSFET与分立IDM锚点整体偏强:ON涨2.16%,DIOD涨0.35%,篮子均值涨1.26%,两者均上涨,跑赢SPY涨0.66%,但略低于QQQ涨1.37%。这更接近细分同业的正向共振,可通过汽车、工业及电源管理需求向A股分立器件IDM传导。限制是两只样本中ON对涨幅贡献较高,存在单股集中影响。A股开盘后需验证是否有多只分立器件公司同步活跃,而非仅少数个股异动。
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