功率半导体与SiC · MOSFET/功率分立器件/IDM平台
MOSFET/功率分立器件/IDM平台:美股隔夜主题篮子
功率分立器件IDM锚点明显分化:ON下跌0.43%,DIOD上涨3.33%,组合均值上涨1.45%,但上涨主要受DIOD带动,且仅半数成分上涨,不能视为行业全面共振。两者通过直接同业映射影响A股MOSFET、二极管及IDM预期。限制在于DIOD的较大涨幅可能带有单股事件特征,ON则反映另一端需求担忧;开盘后验证点是板块广度、龙头跟随度及相对半导体宽基表现。
功率分立器件IDM锚点明显分化:ON下跌0.43%,DIOD上涨3.33%,组合均值上涨1.45%,但上涨主要受DIOD带动,且仅半数成分上涨,不能视为行业全面共振。两者通过直接同业映射影响A股MOSFET、二极管及IDM预期。限制在于DIOD的较大涨幅可能带有单股事件特征,ON则反映另一端需求担忧;开盘后验证点是板块广度、龙头跟随度及相对半导体宽基表现。
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