功率半导体与SiC · MOSFET/功率分立器件/IDM平台
MOSFET/功率分立器件/IDM平台:美股隔夜主题篮子
隔夜功率分立器件出现分化:ON上涨1.81%,DIOD下跌0.09%,篮子均值0.86%,且仅一半上涨,整体弱于QQQ上涨1.1886%和SPY上涨1.04684%。ON的上涨可经功率器件、汽车及工业需求向A股MOSFET和IDM传导,但高度由ON驱动,不能视为全面同业共振。9月4日开盘应验证A股板块内部上涨家数、龙头与中小市值个股是否一致,警惕单股映射失真。
隔夜功率分立器件出现分化:ON上涨1.81%,DIOD下跌0.09%,篮子均值0.86%,且仅一半上涨,整体弱于QQQ上涨1.1886%和SPY上涨1.04684%。ON的上涨可经功率器件、汽车及工业需求向A股MOSFET和IDM传导,但高度由ON驱动,不能视为全面同业共振。9月4日开盘应验证A股板块内部上涨家数、龙头与中小市值个股是否一致,警惕单股映射失真。
内容仅供研究学习参考,不构成投资建议。
沪ICP备2026021397号