功率半导体与SiC · MOSFET/功率分立器件/IDM平台
MOSFET/功率分立器件/IDM平台：美股隔夜主题篮子
隔夜MOSFET及分立IDM锚点出现一致走弱：ON下跌2.44%，DIOD下跌3.80%，两者均值下跌3.12%，且明显弱于QQQ下跌0.72%和SPY下跌0.84%，属于同业负向共振而非单纯宽基拖累。其可经汽车、工业及消费电子功率器件需求锚点传导至A股。限制在于样本仅两家，且公司产品结构不同；A股开盘后应验证分立器件、MOSFET个股的同步性、成交变化及其相对半导体板块强弱。