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功率半导体与SiC · MOSFET/功率分立器件/IDM平台

MOSFET/功率分立器件/IDM平台:美股隔夜主题篮子

隔夜MOSFET及分立IDM锚点明显分化:ON下跌0.67%,DIOD上涨3.64%,组合均值上涨1.49%,但上涨仅占两只中的一只,且DIOD对涨幅贡献较高。组合跑赢QQQ和SPY,更多反映单股强势而非行业一致共振。对A股的传导可关注分立器件、IDM是否在开盘后呈现内部强弱分化,并验证成交与汽车、工业需求线索;不同产品结构、区域客户及单股事件均可能使海外表现难以直接映射。

更新日期:2026-08-22

证据与关系

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