功率半导体与SiC · SiC衬底/第三代半导体材料与器件

SiC衬底/第三代半导体材料与器件 2026-W28周主线趋势

SiC衬底/第三代半导体材料与器件 2026-W28周主线趋势覆盖5个观察日、5条已审核事实；增强2条、减弱3条、风险0条、中性0条。

更新日期：2026-07-13

多日变化

增强2条、减弱3条、风险0条、中性0条

5条已审核事实

SiC 与第三代半导体整体降温，平均涨幅 -7.6% ，下跌占比 100% 。

2026-07-10 · negative · strong

SiC 与第三代半导体整体升温，平均涨幅 5.04% ，上涨占比 100% 。

2026-07-09 · positive · strong

SiC 与第三代半导体整体降温，平均涨幅 -4.1% ，下跌占比 100% 。

2026-07-08 · negative · strong

SiC 与第三代半导体整体升温，平均涨幅 2.78% ，上涨占比 75% 。

2026-07-07 · positive · medium

SiC 与第三代半导体整体降温，平均涨幅 -4.43% ，下跌占比 100% 。

2026-07-06 · negative · strong